DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMT3009LDT-7 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.88 |
10+ | $0.789 |
100+ | $0.6155 |
500+ | $0.5084 |
1000+ | $0.4014 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | V-DFN3030-8 (Type K) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 14.4A, 10V |
Leistung - max | 1.2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Grundproduktnummer | DMT3009 |
DMT3009LDT-7 Einzelheiten PDF [English] | DMT3009LDT-7 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DIODES QFN3X3-8
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMT3009LDT-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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